型号:VMO580-02F | 类别:FET | 制造商:IXYS |
封装:Y3-Li | 描述:MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
详细参数
类别 | FET |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 580A MODULE |
系列 | HiPerFET™ |
制造商 | IXYS |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 580A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3.8 毫欧 @ 430A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 50mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 2750nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | - |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | Y3-Li |
供应商设备封装 | Y3-Li |
包装 | 散装 |
供应商
北京青山盛世电子技术有限公司 | 李小姐086-010-82610856 |
上海熠富电子科技有限公司 | 销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318 |
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深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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